ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

CGHV96050F1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 221

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 7.9GHz ~ 9.6GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 13A,

PTFB183404F-V2-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 109

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTAB182002FC-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 146

CGH40006P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1327

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 0Hz ~ 6GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 3.5A,

PTFA180701E-V4-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6369

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.84GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFB090901FA-V2-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 86

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB192503EL-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6433

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

CGH27030S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1271

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 6GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB182503EL-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4644

CGHV14500F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 120

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 1.2GHz ~ 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 36A,

CGHV50200F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 5GHz, ಗಳಿಕೆ: 11.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 17A,

PXFC191507FC-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107

PTFB091507FH-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140

PTVA123501FC-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

MRF8P20140WHSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1061

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.88GHz ~ 1.91GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8S21100HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6423

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8P23080HR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6405

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRFE6VP61K25NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 504

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 23dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRFE6VP5150NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2790

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 26.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5448,518

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6348

MRF8S26060HSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6324

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF7S21210HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4655

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MMRF1304LR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1532

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 25.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P9300HR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6371

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

SD2932BW

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 625

PD57006-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4613

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1A,

PD20010TR-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5930

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2GHz, ಗಳಿಕೆ: 11dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 13.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 5A,

PD57030-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1706

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 4A,

PD85025C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1418

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 13.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 7A,

SD57045

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1005

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 5A,

NPT1012B

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 371

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 0Hz ~ 4GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

UF28150J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 309

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಆವರ್ತನ: 100MHz ~ 500MHz, ಗಳಿಕೆ: 8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 16A,

CLF1G0035-200PU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 159

IXZH10N50L2B

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3281

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 70MHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10A,

CE3520K3-C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117189

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: pHEMT FET, ಆವರ್ತನ: 20GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 15mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.8dB,

PTFB093608SVV2R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 637