ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

AFT18S230SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1041

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T23H300-24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 773

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T26H165-24SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 987

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.5GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT18S290-13SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 841

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.96GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT23H160-25SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1028

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T09VD250NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1067

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 22.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V,

A2I25H060NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2341

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.59GHz, ಗಳಿಕೆ: 26.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFV10700GSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.03GHz ~ 1.09GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT18H356-24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 653

ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT20P060-4GNR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2987

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T21H140-24SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2095

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT23H200-4S2LR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 976

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S262W12NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 223

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFV141KHSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

A2T20H330W24NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 200

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz ~ 2.025GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT21S230SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1001

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2V09H525-04NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 720MHz ~ 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

A2T20H330W24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 683

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT26P100-4WGSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1116

A2T21H360-23NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 216

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFV121KHR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 206

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz ~ 1.22GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

A2T09VD300NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 938

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 21.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V,

AFT09MP055NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5187

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 870MHz, ಗಳಿಕೆ: 15.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12.5V,

A2T26H160-24SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 976

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.58GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT26H250-24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 858

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.5GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT21S232SR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 949

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFV141KGSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

A2T18H160-24SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1039

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S162W31SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 944

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.84GHz, ಗಳಿಕೆ: 20.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2I25D025NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2995

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 31.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S165-12SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 210

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.995GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT18S230-12NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1281

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S160W31GSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 930

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T21H450W19SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

ARF447G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1781

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 40.68MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 6.5A,

ARF461AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1708

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 65MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25µA,