Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು

SRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1050HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 80

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRF1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1030HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 91

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF2045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 86

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UGF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 120

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRS2040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2040HMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25100CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 25A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF2035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2035CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBR3060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3060CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 30A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 770mV @ 15A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBR20H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20H100CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS2545CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2545CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 86

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 820mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR1650PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1650PTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 83

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS1535CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1535CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 15A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 15A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF2590CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2590CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 90V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 25A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRF1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1020HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 95

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBR2060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1602HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 8A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRF10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10100 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
HERF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1006G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 134

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRF16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16150HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR1660PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 108

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UGF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS2035CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2035CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBR15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 98

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 15A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 7.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS10H200CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H200CT MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 970mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DB5S406K0R
Panasonic Electronic Components

DB5S406K0R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156881

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 600mV @ 100mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DA3S102D0L
Panasonic Electronic Components

DA3S102D0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 119152

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 100mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 100mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-8CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02-M3/87A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116771

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 4A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-16CTQ100HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100HN3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 69111

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 720mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-10CSH02-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH02-M3/86A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 168313

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 980mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-8CSH01HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01HM3/86A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 185081

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 4A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-8CSH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02HM3/87A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180101

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 4A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ND411435
Powerex Inc.

ND411435

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 159

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Series Connection, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 350A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1000A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CDST-7000-G
Comchip Technology

CDST-7000-G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173813

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Series Connection, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 100mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MPE-220A
Sanken

MPE-220A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 80737

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ