Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು

DZ23C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C51-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173181

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 38V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V3-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166424

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C6V8-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121172

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C22-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C22-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176694

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 17V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V3-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148988

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C2V7-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 174795

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 83 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C30-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 112252

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 30V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 22.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C3V3-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 120391

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C13-G3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143974

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C22-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 101382

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 17V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C3V9-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150418

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C3V9-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114803

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C33-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158302

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 25V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5243BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5243BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 174462

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 13 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 9.9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5225BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5225BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1217

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5226BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5226BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115743

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 28 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 25µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5254BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5254BS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141313

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 41 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 21V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
QZX363C6V8-7-F
Diodes Incorporated

QZX363C6V8-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153970

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C51-7
Diodes Incorporated

DZ23C51-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1198

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5229BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5229BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1218

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C10-7
Diodes Incorporated

DZ23C10-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1268

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C7V5-7
Diodes Incorporated

DZ23C7V5-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1219

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5250BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5250BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1246

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 15V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C43-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C43-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142352

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.98%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 35V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5227BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5227BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1255

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 24 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 15µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5238BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5238BS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 113081

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 6.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5254BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5254BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1257

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 41 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 21V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5223BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5223BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142849

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 75µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMZ6.8NTL
Rohm Semiconductor

EMZ6.8NTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156163

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UMZ16KFHTL
Rohm Semiconductor

UMZ16KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9962

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.04%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU5.6DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU5.6DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1242

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 2.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU22DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU22DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1261

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 17V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU13DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU13DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3161

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PLVA2653A,215
Nexperia USA Inc.

PLVA2653A,215

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1225

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.3V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ16VALT1G
ON Semiconductor

MMBZ16VALT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 127555

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ37082D0L
Panasonic Electronic Components

DZ37082D0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 112843

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ