Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

IRF7389TR
Infineon Technologies

IRF7389TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2636

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF7754TR
Infineon Technologies

IRF7754TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2696

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 900mV @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF7751
Infineon Technologies

IRF7751

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2659

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF7750GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7750GTRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2784

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF7314QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7314QTRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2754

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 700mV @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTLJD4116NT1G
ON Semiconductor

NTLJD4116NT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2763

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDS6894A
ON Semiconductor

FDS6894A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2729

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ECH8664R-TL-H
ON Semiconductor

ECH8664R-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2888

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 23.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDW2504P
ON Semiconductor

FDW2504P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2772

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTLJD3115PTAG
ON Semiconductor

NTLJD3115PTAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2743

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTLUD3191PZTAG
ON Semiconductor

NTLUD3191PZTAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2777

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SIA950DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA950DJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2859

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 190V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 950mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7224DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139900

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI1563DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2825

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.13A, 880mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI4569DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4569DY-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2878

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7.6A, 7.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI6969DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3349

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SIZ916DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ916DT-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 88099

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A, 40A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7960DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2783

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI4501ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4501ADY-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2738

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, Common Drain, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.3A, 4.1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.8V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI3993DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 199624

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI6926ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6926ADQ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195139

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI5915BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2892

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI4916DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4916DY-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 93093

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A, 10.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI6928DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6928DQ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3373

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI4933DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3359

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7.4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 500µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI6925ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2797

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.8V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ZXMD63C03XTC
Diodes Incorporated

ZXMD63C03XTC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2695

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
STS4DNF60
STMicroelectronics

STS4DNF60

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2663

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 90 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UPA2379T1P-E1-A
Renesas Electronics America

UPA2379T1P-E1-A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102853

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VWM350-0075P
IXYS

VWM350-0075P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2759

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 340A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.3 mOhm @ 250A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 2mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76064

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MP6M14TCR
Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2917

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 4V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SP8J1FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 98693

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SP8M9TB
Rohm Semiconductor

SP8M9TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2650

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.

PMWD16UN,518

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2709

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 700mV @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PMGD370XN,115
Nexperia USA Inc.

PMGD370XN,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2664

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 740mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ