ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

EMH2407-S-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2884

NTND3184NZTAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107176

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 220mA (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

FW344A-TL-2W

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2933

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 4V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

CPH5617-TL-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186363

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 150mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDW2503N

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2761

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2506P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2777

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MMDF2P02ER2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2699

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 250 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS8947

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3294

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 65 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3152PT1H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106213

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 430mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

NTGD4161PT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2811

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 160 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2737

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.9A, 4.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD5836NLR2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2882

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 5.7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5944DU-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2715

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1016X-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2759

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 485mA, 370mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5904DC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2807

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI9936BDY-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2872

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

VQ2001P-2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2875

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 600mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SIA911DJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2844

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4814BDY-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3376

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A, 10.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4818DY-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2835

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.3A, 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

SI7904DN-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2818

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 935µA,

SI5920DC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2868

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5519DU-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2823

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SI1903DL-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2791

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 410mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI1905DL-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2724

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 570mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI6983DQ-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2714

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 400µA,

VQ2001P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2906

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 600mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4.5V @ 1mA,

DI9952T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2661

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.9A,

SP8M5FU6TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3289

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

IRF7307PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 94382

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.2A, 4.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF8915

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2731

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7756TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3371

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 900mV @ 250µA,

IRF7506TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2648

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7328PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 58156

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7756GTRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2800

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 900mV @ 250µA,

CTLDM303N-M832DS TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 191348

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 250µA,