ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್&zwnj;ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

NVMFD5873NLT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73807

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDS9958-F085

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26954

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDS8858CZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153147

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.6A, 7.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ECH8660-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 177854

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 59 mOhm @ 2A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF7905TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 187870

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7.8A, 8.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.25V @ 25µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IPG20N06S2L50AATMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140292

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 19µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF9358TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160762

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 25µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IPG16N10S461ATMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100256

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.5V @ 9µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRFHM8363TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 191314

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.35V @ 25µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IPG20N04S4L11AATMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165940

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 15µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

STMicroelectronics

STS1DNC45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 85375

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 450V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 400mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.7V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136676

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SIA922EDJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104410

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI9926CDY-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 125202

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SQJ974EP-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141603

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI5504BDC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163985

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, 3.7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI7288DP-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 108168

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.8V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI7900AEDN-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97121

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 900mV @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI4214DDY-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102448

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI5935CDC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154777

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI5936DU-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193614

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI1025X-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121434

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 190mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169010

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel Complementary, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 590mA (Ta), 410mA (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 950mV @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SH8M24TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 112720

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

UM6J1NTN

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145064

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

QS8J13TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157844

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SH8M11TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138257

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EM6K34T2CR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122186

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 0.9V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 800mV @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ZDM4306NTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2658

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

DMC1018UPD-13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180420

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9.5A, 6.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ZXMD63P02XTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110973

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ