ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್&zwnj;ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

DMN601DWK-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176941

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 305mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

DMN5L06DMK-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107540

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 305mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

DMN2050LFDB-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105819

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

DMN2004DMK-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 125678

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 540mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SQJB70EP-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 113439

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11.3A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI4936BDY-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 168524

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI1965DH-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100544

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SIA911ADJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139873

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SQJ990EP-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141592

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 34A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SQ1563AEH-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2535

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 850mA (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SIA537EDJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157576

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI5513CDC-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193923

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, 3.7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SQJQ904E-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 54848

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI1926DL-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150474

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 370mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SI7212DN-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 57376

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.6V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF9956TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162504

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF7301TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 199318

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 700mV @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF3575DTRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 34855

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 303A (Tc),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF7324TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97929

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IPG20N06S2L35ATMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145368

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 27µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IRF7103TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149977

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152225

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 19µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 96459

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138723

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166276

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

SSM6N57NU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 182932

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151036

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 7.4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.3V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 164511

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 170mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

NTMD4N03R2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117636

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDS6911

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99941

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDMD8630

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2633

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 38A (Ta), 167A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDS6975

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115211

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

FDS4897C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170499

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.2A, 4.4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ