ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 93nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: K10, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 2.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 2.5 x 1.5 x 1.3,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.02µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 2.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 2.5 x 1.5 x 1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 20nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: K1, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 6.30mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 6.3 x 3.8 x 2.5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: K10, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 58.30mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 58.3 x 40.8 x 20.2,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P (Pot Core), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 500nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 3.35mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): P 3.3 x 2.6,