ಫೆರೈಟ್ ಕೋರ್ಗಳು

B64290A0659X830

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 21183

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 40.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 40 x 24 x 16,

B64290L0659X048

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22800

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: N48,

B64290L0668X095

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18599

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: N95,

B66459K0000X187

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36097

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 38 x 4 x 25,

B64290A0037X038

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100008

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid,

B64290A0061X038

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193248

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.47µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 3.94mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 3.94 x 2.24 x 1.3,

B64290A0659X010

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12698

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid,

B64290A0043X010

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6942

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: K10, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 58.30mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 58.3 x 32 x 18,

B64290A0084X065

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2735

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 102.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 102 x 65.8 x 15,

B65525J0000R097

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 82371

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 11 x 5,

B66453G0000X608

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 288

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: PC200,

B65805C0160A048

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103157

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B65887E0400A087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 20953

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 14,

B62152P0015X030

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129840

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Multi-Hole (2), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: N30,

B65805J0160A041

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110411

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65887P0000R095

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10179

B65887E0160A041

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9755

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 14,

B65805J0315A048

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103193

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 315nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B65981A0000R095

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8548

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 8.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 50 x 50,

B65855A0000R087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148197

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 430nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 5,

B65805J0063A087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140298

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805P0000R092

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116503

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.9µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5 LP,

B65805J0000R035

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104909

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805J0000Y038

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47618

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: T38, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B62152P0007X030

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 108701

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Multi-Hole (2), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 7.3µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: N30,

B65805J0000R097

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104852

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B65805J0120A045

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111404

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805J0100A087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140273

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805J0000Y066

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47583

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 9.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: T66, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B65855A0025A038

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 182710

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 25nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: T38, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 5,

B65805P0000Y038

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 300

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: T38, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,

B65805C0250A087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140320

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805P0160A045

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111455

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65805J0000R092

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116515

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,

B65887E0630A087

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18422

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 14,

B65805J0000R049

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50504

ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.3µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,