ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 71 x 33 x 32,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EQ, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EQ 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3F46, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 30,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C91, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 47 x 20 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: 3E27, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 107.40mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 107 x 65 x 18,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 18 x 10 x 2,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 64 x 50 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 14 x 5 x 1.5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 400nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 164.4nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 4C65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 102.00mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 58 x 11 x 38,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C91, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 21 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 21 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F4, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 43 x 10 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: 3E27, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 102.40mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 18 x 4 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3F4, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 38 x 25 x 2.7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 41.65mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 40 x 24 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C94, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 83.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 80 x 40 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 59 x 31 x 22,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 120nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 14,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 54 x 28 x 19,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P (Pot Core), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 3.4µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3F36, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 25.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): P 26 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3F46, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 18 x 3.2 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 38 x 25 x 3.8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 100nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: 3C90, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 107.00mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 20 x 10 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 29 x 16 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 43 x 10 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ROD, ಅಂತರ: 3C90, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 1.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ROD 1.5 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ROD, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 10.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ROD 10 x 140,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: 3E27, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 83.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 80 x 40 x 15,
