ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 33 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 39 x 20 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 54 x 28 x 19,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 64 x 10 x 50,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 18 x 4 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 65 x 32 x 27,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 19 x 8 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 34 x 14 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±4%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 14.5 x 3 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C91, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10 x 1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 71 x 33 x 32,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C91, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 55 x 28 x 21,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 38 x 8 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 260nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 55 x 28 x 21,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 14 x 3.5 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 56 x 24 x 19,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 20 x 14 x 2,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 13 x 6 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10 x 1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: U, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): U 25 x 16 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 63nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10 x 1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F4, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 32 x 6 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 65 x 32 x 27,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 22 x 6 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 400nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 14,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 30,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 47 x 20 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 20 x 16,
