Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

2A01-TP
Micro Commercial Co

2A01-TP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9446

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 40V, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1468

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 330A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.22V @ 942A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107592

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111138

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170598

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162083

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 119879

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151354

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 146657

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30BQ015TR
SMC Diode Solutions

30BQ015TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104520

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 350mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30WQ20FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ20FNTR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180665

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 890mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30WQ03FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ03FNTR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186601

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30BQ150TR
SMC Diode Solutions

30BQ150TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132078

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 860mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30BQ200TR
SMC Diode Solutions

30BQ200TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126042

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30WQ15FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ15FNTR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 184192

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 830mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
30WQ04FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ04FNTR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198114

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 530mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 94

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 206

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3SM8
Semtech Corporation

3SM8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3384

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 2µs,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
3SM0
Semtech Corporation

3SM0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3037

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 3A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 2µs,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ