ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.068µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 20A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2200pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 400mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 4700pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 47pF, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 200mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2200pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 10000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 400mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 10000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 80 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 7.5µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 4V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 47pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.047µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 10000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2200pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 100pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 22pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 4700pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.015µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 10A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.5 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2200pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 4.3µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.22µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 4V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 470pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.1µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 6A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 3 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 4A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1.5µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 6A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 9 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2.2µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -40°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 10A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.5 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2200pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
