ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 47pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 4kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 500pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 1kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 5600pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.033µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.047µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 3900pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 2kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 560pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 25pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 200°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.047µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.075µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.027µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 4300pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 1kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.033µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 23pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 200°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.082µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 4300pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 180pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 4kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.036µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.024µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 300V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 19pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Polytetrafluoroethylene (PTFE), ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 200°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 680pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 1kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.056µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 300V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 9100pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 1kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 9100pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 15pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 4kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 20pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 200°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 560pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 2.5kV, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.016µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.036µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 390pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.062µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 300V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 150°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1500pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Through Hole,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 11pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 500V, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು: Mica, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 200°C, ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ: Surface Mount,
