ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸಂವೇದಕಗಳು - ಪ್ರತಿಫಲಿತ - ಅನಲಾಗ್ put ಟ್&zwn

MTRS5900D

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12999

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 1.5mm, ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodiode,

MTRS6140D

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 15518

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 1.5mm, ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodiode,

PC50CNP06RP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 236.2" (6m), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective,

PC50CNR10RP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 393.701" (10m), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective,

OPB70HWZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 21699

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Transistor,

OPB70AWZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18874

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Darlington,

OPB747WZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2766

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.300" (7.62mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 15744

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 3" (76.2mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB608C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 51641

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.050" (1.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB741W

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2720

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB70EWZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18687

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Transistor,

OPB742

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 33637

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB743WZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 20862

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB755NZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2712

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.220" (5.59mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 24V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB701Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7740

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.200" (5.08mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodarlington,

OPR5005

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 21984

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.050" (1.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB744WZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18838

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.150" (3.81mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

OPB608R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47308

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.050" (1.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

Z4D-A01

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4329

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.256" (6.5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective,

EE-SB5-B

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10268

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.197" (5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

ITR9909

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149323

ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163178

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

HOA0708-107

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 15421

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.15" (3.8mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

HOA0149-500

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2735

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.15" (3.8mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

HOA0149-001

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13019

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.200" (5.08mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

CNB10010SL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2753

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

CNB2301

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2755

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodarlington,

CNB10010LL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2692

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

CNY70

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 52694

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.197" (5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 32V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

QRD1114

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39835

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.050" (1.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

QRD1313

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2740

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.050" (1.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodarlington,

HEDS-1500

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2754

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.168" (4.27mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodiode,

LTH-1550-01

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 183477

ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2701

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.028" (0.7mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

GP2S40

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2756

ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.256" (6.5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2681