ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 2mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 70mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.5mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 150°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 10mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 35°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 35mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 35°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ತರಂಗಾಂತರ: 405nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 350mW/sr @ 1A (Typ), ತರಂಗಾಂತರ: 855nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 90°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 300mW/sr @ 1A (Typ), ತರಂಗಾಂತರ: 945nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.9V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 90°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ತರಂಗಾಂತರ: 385nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ತರಂಗಾಂತರ: 395nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 25mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 35°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 250mW/sr @ 1A (Typ), ತರಂಗಾಂತರ: 855nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 220mW/sr @ 1A (Typ), ತರಂಗಾಂತರ: 945nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.9V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 70mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 5mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 70mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 5mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 15mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 70mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 70mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.4mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 150°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.7V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 80°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 25mW/sr @ 100mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.7V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.7V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 16°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR),
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1.8mW/cm² @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 7.0mW/cm² @ 100mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 15°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.8mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.4mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 8mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.8mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 160°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.8mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 110°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1.2mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1.2mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
