ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

EPC2001

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18487

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 25A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 25A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2049ENGRT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4397

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5 mOhm @ 15A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2021

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14286

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2025

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1945

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 150 mOhm @ 3A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2031

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8638

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 31A (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2018

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8926

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 6A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2016

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50068

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16 mOhm @ 11A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2051ENGRT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10801

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.7A, ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 3A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC8004

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 28614

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.7A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC8009

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 27880

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 65V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.7A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2030ENGRT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 16295

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 31A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2007

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 69589

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 6A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2015

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18703

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 33A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 mOhm @ 33A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2031ENGRT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 17048

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 31A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2012

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 54098

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 3A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2010

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9929

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 6A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2022

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14027

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2024

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14687

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2033

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13722

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 31A (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 25A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2032

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 16483

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 48A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2020

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14515

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2029

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 16856

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 48A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2034

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7981

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 48A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 20A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2035

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195456

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 1A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2023

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18953

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2015C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30169

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 53A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 mOhm @ 33A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2014

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 74091

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16 mOhm @ 5A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2030

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22960

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 31A (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC8010

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 46864

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.7A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2045ENGRT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26260

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 16A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2010C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 17919

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 22A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 12A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2012C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 54040

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 3A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2001C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 31126

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 25A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2202

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 48425

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18A, ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 11A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2019

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37744

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.5A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 7A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

EPC2007C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 74756

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: GaNFET (Gallium Nitride), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 6A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

45

«
1
2
»