ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 38 x 4 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N30, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.9µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8 LP,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 400nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 3.1µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8 LP,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 43 x 10 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: T35, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 9.3µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 60.10mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: T65,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 3.87µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: T35, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 17.20mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: N72,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 8.8µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 39.40mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.76µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 10.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 10 x 6 x 4,
