ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 32 x 3 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 55 x 28 x 21,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P (Pot Core), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 800nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 4.65mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): P 4.6 x 4.1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.4µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 32.10mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 54 x 28 x 19,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 44 x 22 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 3.3µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 26 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.4µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 60.10mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 64 x 10 x50,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 250nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 400nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10 LP,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 4.1µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8 LP,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.25µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 60.10mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 7.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 3.87µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 39.40mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 70 x 33 x 32,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 8.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N30, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 8.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: T35, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 41.80mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 4.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 32 x 16 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 64 x 5 x 50,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 49 x 25 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 55 x 28 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 43 x 4 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 58 x 4 x 38,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 49 x 25 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 34 x 17 x 11,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 32 x 6 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 17.4µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 51.80mm,
