ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 30 x 15 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 13.35mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 13 x 7.9 x 6.4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 39 x 20 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 14.25mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 14 x 9 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 58 x 38 x 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 63nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 37.15mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 36 x 23 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 21 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 43.15mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 42 x 26 x 18,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 65 x 32 x 27,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3E27, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 58.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 38 x 8 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 35,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 18 x 4 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 25 x 13 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 13 x 6 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 33 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C95, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 22.00mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): P 22 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F4, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 32 x 6 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PLT, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PLT 58 x 38 x 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 250nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 22 x 6 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3F36, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 22 x 6 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 57.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 55 x 32 x 18,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಅಂತರ: 3C95, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 20 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 35 x 21 x 11,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 57.50mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): TX 55 x 32 x 18,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: 3C94, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 63.00mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C94, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: UR, ಅಂತರ: 3C90, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): UR 70 x 33 x 17,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: 3C96, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 25 x 13 x 7,
