ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

BF1009SE6327HTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6180

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 9V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.4dB,

BF1005SE6327HTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6180

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.6dB,

BF1005SE6433XT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6120

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.6dB,

BF1005E6327HTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6171

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.6dB,

BG3123RH6327XTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6063

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, 20mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.8dB,

BG3123H6327XTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6033

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 25mA, 20mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.8dB,

BF999E6433HTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6006

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 45MHz, ಗಳಿಕೆ: 27dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 30mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 2.1dB,

BF2040E6814HTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 51690

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 800MHz, ಗಳಿಕೆ: 23dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 40mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1.6dB,

BF999E6327HTSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154275

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 45MHz, ಗಳಿಕೆ: 27dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 30mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 2.1dB,

PXFC211507SCV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1238

PTAC260302SCV1S250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6409

PXFC212551SCV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 807

PXFC193808SVV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 581

PTFB191501EV1XWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6448

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFB212507SHV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 782

PTVA093002TCV1R250XUMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 852

PTFB093608SVV2R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 637

PTAB182002TCV2R250XUMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 896

PXFC192207SHV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 836

PTRA093302DC V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6377

PTFA071701EV4R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6203

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 765MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFA192001EV4T350XWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4638

PTFA091201GL V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6134

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA192001FV4FWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6200

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA212001EV4R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 672

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA211801E V4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4626

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA212001EV4R0XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 605

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTAB182002TCV2R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6265

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFB211803ELV1R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 927

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFA241301F V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6190

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.42GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA190451EV4XWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6188

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.96GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTFA071701EV4XWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6168

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 765MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFA260851F V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6140

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.68GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PTAC240502FCV1XWSA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6292

PTFB093608FVV2R250XTMA1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6241

PTFA041501HL V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6118

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 470MHz, ಗಳಿಕೆ: 21dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1µA,