Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ
IXFQ22N60P3
IXYS

IXFQ22N60P3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14630

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 22A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 360 mOhm @ 11A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTH420N04T2
IXYS

IXTH420N04T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9028

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 420A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 mOhm @ 100A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTT30N50P
IXYS

IXTT30N50P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9788

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 200 mOhm @ 15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTQ75N10P
IXYS

IXTQ75N10P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22126

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 75A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFP34N65X2M
IXYS

IXFP34N65X2M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 228

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 34A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 17A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFX32N90P
IXYS

IXFX32N90P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4733

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 900V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 32A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 300 mOhm @ 16A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFL30N120P
IXYS

IXFL30N120P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2066

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 380 mOhm @ 15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTP50N20P
IXYS

IXTP50N20P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 23735

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 50A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 60 mOhm @ 50A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTQ36N50P
IXYS

IXTQ36N50P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9319

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFA76N15T2
IXYS

IXFA76N15T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 20061

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 76A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 mOhm @ 38A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTN8N150L
IXYS

IXTN8N150L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1926

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 20V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.6 Ohm @ 4A, 20V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTA80N12T2
IXYS

IXTA80N12T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 29683

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 120V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 80A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 40A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTQ62N15P
IXYS

IXTQ62N15P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22119

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 62A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 40 mOhm @ 31A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTP05N100
IXYS

IXTP05N100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37523

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 750mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 Ohm @ 375mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFN20N120P
IXYS

IXFN20N120P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2091

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 570 mOhm @ 10A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTH3N100P
IXYS

IXTH3N100P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 17991

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTA08N100D2HV
IXYS

IXTA08N100D2HV

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 800mA (Tj), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 0V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 Ohm @ 400mA, 0V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTP170N075T2
IXYS

IXTP170N075T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26064

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 170A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5.4 mOhm @ 50A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTA1N170DHV
IXYS

IXTA1N170DHV

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7949

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1700V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16 Ohm @ 500mA, 0V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTK120N20P
IXYS

IXTK120N20P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8155

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 120A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFT86N30T
IXYS

IXFT86N30T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 11068

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 86A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 43 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTA120N075T2
IXYS

IXTA120N075T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26988

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 120A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7.7 mOhm @ 60A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTT11P50
IXYS

IXTT11P50

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8644

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFR102N30P
IXYS

IXFR102N30P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6291

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 36 mOhm @ 51A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFA36N30P3
IXYS

IXFA36N30P3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18333

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 110 mOhm @ 18A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTX200N10L2
IXYS

IXTX200N10L2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3332

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11 mOhm @ 100A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFH100N25P
IXYS

IXFH100N25P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8532

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 27 mOhm @ 50A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFA180N10T2
IXYS

IXFA180N10T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18095

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 180A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 6 mOhm @ 50A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTP10N60P
IXYS

IXTP10N60P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26549

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 740 mOhm @ 5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTP220N04T2
IXYS

IXTP220N04T2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 26021

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 220A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTT34N65X2HV
IXYS

IXTT34N65X2HV

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 34A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 96 mOhm @ 17A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFK120N20P
IXYS

IXFK120N20P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7993

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 120A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFP10N80P
IXYS

IXFP10N80P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 19287

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 10A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXTY08N100P
IXYS

IXTY08N100P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30059

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 800mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 Ohm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFP72N20X3M
IXYS

IXFP72N20X3M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 249

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 mOhm @ 36A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IXFR20N100P
IXYS

IXFR20N100P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6366

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 640 mOhm @ 10A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ