ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

IXTK22N100L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2419

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 22A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 20V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 600 mOhm @ 11A, 20V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTN21N100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2150

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 21A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFE48N50QD2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2200

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 41A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 110 mOhm @ 24A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFN24N90Q

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2256

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 900V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 24A (Tc),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MMIX1F210N30P3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2903

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 108A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16 mOhm @ 105A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTT12N140

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1736

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 6A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFH26N50P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10406

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 26A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 230 mOhm @ 13A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFL60N60

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2758

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 80 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFE55N50

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2858

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 47A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 90 mOhm @ 27.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTT1N100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1583

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11 Ohm @ 1A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTF03N400

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1523

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 4000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 300mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 300 Ohm @ 150mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFE50N50

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2928

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 47A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 25A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFN280N07

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2964

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 280A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5 mOhm @ 120A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFX30N110P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2774

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 360 mOhm @ 15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTA02N250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1465

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 2500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFH60N50P3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8679

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFE44N60

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2873

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 41A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 130 mOhm @ 22A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFL39N90

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2704

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 900V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 34A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 220 mOhm @ 19.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFR30N110P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2552

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 400 mOhm @ 15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFN180N07

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3099

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 180A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFN100N25

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1451

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 27 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTN60N50L2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1874

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 53A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFK30N110P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2668

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 360 mOhm @ 15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFH40N30Q

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6457

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 40A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFL44N60

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2950

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 41A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 130 mOhm @ 22A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFR38N80Q2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2763

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 28A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 19A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFK38N80Q2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2835

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 38A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 220 mOhm @ 19A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTK21N100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2617

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 21A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTA02N450HV

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5672

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 4500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 750 Ohm @ 10mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXTY55N075T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1589

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 55A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 19.5 mOhm @ 27.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFN73N30Q

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2757

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 73A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFT52N30Q

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4750

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 52A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFX38N80Q2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2871

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 38A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 220 mOhm @ 19A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFK170N10

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3114

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 170A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXFR24N90Q

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3195

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 900V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

IXKG25N80C

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3196

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 25A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 150 mOhm @ 9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2148

«
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
»