ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 2mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 875nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 150°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 40mW/sr @ 500mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 885nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 120°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1.64mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 870nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 150°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 9.72mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 6.02mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 22°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 2.5mW/sr @ 40mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.6V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 4mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.45V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 1mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 875nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.5V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 110°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 80mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 30mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.6V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 150mW/sr @ 1A, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.8V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 150°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 9.62mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 875nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.2mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 40°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 700mA, ತರಂಗಾಂತರ: 405nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3.7V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 30mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 402nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3V,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 2.25mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 6.02mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 16°,
ಮಾದರಿ: Ultraviolet (UV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 700mA, ತರಂಗಾಂತರ: 410nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 3.7V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 3.31mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.662mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 30°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 60°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 24mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.49V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 50°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 3.31mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 40°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 50mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 25°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 35mW/sr @ 50mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.75V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 16°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 35mW/sr @ 100mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.4V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 60°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 0.56mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 130°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 3.31mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.2V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 16°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 4.81mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 880nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.3V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 20°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 160mW/sr @ 1A, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.8V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 90°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 6mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 940nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.25V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 50°,
ಮಾದರಿ: Infrared (IR), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವಿಕಿರಣ ತೀವ್ರತೆ (ಅಂದರೆ) ಕನಿಷ್ಠ @ ವೇಳೆ: 4mW/sr @ 20mA, ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.6V, ಕೋನವನ್ನು ವೀಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ: 75°,
