ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 2.2µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 4A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -40°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.2µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.47µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 300mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.47µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 105°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.022µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +50%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.47µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.47µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 22µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 105°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 600mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 220pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 700mA, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.1µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 10µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 4A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 10 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -40°C ~ 85°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1000pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 1A, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 1µF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 6.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 2A, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 105°C,
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 100pF, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ: 16V, ಪ್ರಸ್ತುತ: 500mA, ಡಿಸಿ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಡಿಸಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300 mOhm, ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ: -55°C ~ 125°C,
