ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

A2I08H040GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2571

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 30.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT18S260W31SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 785

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T27S020GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 223

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 400MHz ~ 2.7GHz, ಗಳಿಕೆ: 21dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

A2T23H160-24SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 988

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT05MS031GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8693

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 520MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 13.6V,

AFIC31025NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 200

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.7GHz ~ 3.1GHz, ಗಳಿಕೆ: 30dB,

AFT05MP075NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5597

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 520MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12.5V,

A2T18S260W12NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFV09P350-04NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 508

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V,

A2I25D025GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2963

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 31.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18H410-24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 571

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT20P060-4NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2920

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S261W12NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 206

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFV121KGSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz ~ 1.22GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

A2I08H040NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2543

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 30.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT09H310-03SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 668

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT09MP055GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5075

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 870MHz, ಗಳಿಕೆ: 15.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12.5V,

A2T20H160W04NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1279

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.88GHz ~ 2.025GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT18P350-4S2LR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 637

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT21S140W02SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1104

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT21H350W04GSR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 561

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT09S200W02SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1063

A2T07H310-24SR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 563

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFV121KHSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 213

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz ~ 1.22GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

AFV09P350-04GNR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 547

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V,

AFT18S260W31GSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 805

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S162W31GSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 977

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.84GHz, ಗಳಿಕೆ: 20.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18H100-25SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1079

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T18S160W31SR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 948

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT18H357-24NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 864

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT09MS031NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8190

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 870MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 13.6V,

AFT09S220-02NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1251

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

AFT18S230SR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 920

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

A2T14H450-23NR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 224

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.452GHz ~ 1.511GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 31V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

A2T21S260W12NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.2GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

AFT09S282NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 782

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 20dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,