ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 25mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.197" (5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.178" (4.5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.157" (4mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.157" (4mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 24V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodarlington,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.173" (4.4mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.138" (3.5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.157" (4mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.039" (1mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.256" (6.5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective,
