Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ
FDD6782A
ON Semiconductor

FDD6782A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 712

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10.5 mOhm @ 14.9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDC633N_F095
ON Semiconductor

FDC633N_F095

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 582

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.2A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 2.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQD12N20TM_F080
ON Semiconductor

FQD12N20TM_F080

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 724

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 280 mOhm @ 4.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PN3685
ON Semiconductor

PN3685

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 774

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQD7N10TM
ON Semiconductor

FQD7N10TM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 611

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.8A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDD6780A
ON Semiconductor

FDD6780A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 703

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16.4A (Ta), 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8.6 mOhm @ 16.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NDS7002A_NB9GGTXA
ON Semiconductor

NDS7002A_NB9GGTXA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 607

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 280mA (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTGS1135PT1G
ON Semiconductor

NTGS1135PT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 678

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.6A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 1.2V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQU17P06TU
ON Semiconductor

FQU17P06TU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 67251

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 135 mOhm @ 6A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQD8P10TM_F080
ON Semiconductor

FQD8P10TM_F080

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 651

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.6A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor

SSR1N60BTM_F080

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6095

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 900mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 Ohm @ 450mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTB5411NT4G
ON Semiconductor

NTB5411NT4G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 622

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 80A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 40A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDJ128N_F077
ON Semiconductor

FDJ128N_F077

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 619

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 2.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTMFS4119NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4119NT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 884

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDH5500
ON Semiconductor

FDH5500

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 580

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 75A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 mOhm @ 75A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTMFS4823NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4823NT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 661

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.9A (Ta), 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 11.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10.6 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDP8442-F085
ON Semiconductor

FDP8442-F085

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 609

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 23A (Ta), 80A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTD4809NHT4G
ON Semiconductor

NTD4809NHT4G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 842

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9.6A (Ta), 58A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 11.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 9 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDD6680A
ON Semiconductor

FDD6680A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6086

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 14A (Ta), 56A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTD23N03RT4G
ON Semiconductor

NTD23N03RT4G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 818

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4V, 5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 6A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTMFS4847NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4847NT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 671

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 11.5A (Ta), 85A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 11.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDC602P_F095
ON Semiconductor

FDC602P_F095

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 573

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 2.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFP450B
ON Semiconductor

IRFP450B

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 724

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 14A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 390 mOhm @ 7A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQP6N60C_F080
ON Semiconductor

FQP6N60C_F080

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 682

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2 Ohm @ 2.75A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQA36P15_F109
ON Semiconductor

FQA36P15_F109

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 614

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 90 mOhm @ 18A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDP75N08
ON Semiconductor

FDP75N08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 575

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 75A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11 mOhm @ 37.5A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQT2P25TF
ON Semiconductor

FQT2P25TF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106749

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 550mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 Ohm @ 275mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FQD6N50CTM_F080
ON Semiconductor

FQD6N50CTM_F080

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 743

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDD6680
ON Semiconductor

FDD6680

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 617

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Ta), 46A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 12A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDD6682
ON Semiconductor

FDD6682

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 568

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 75A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 6.2 mOhm @ 17A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTMFS4821NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4821NT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 592

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFR420BTM
ON Semiconductor

IRFR420BTM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 694

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.3A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.6 Ohm @ 1.15A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDP3205
ON Semiconductor

FDP3205

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 646

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7.5 mOhm @ 59A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FDB8876
ON Semiconductor

FDB8876

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 555

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 71A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8.5 mOhm @ 40A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTB90N02T4G
ON Semiconductor

NTB90N02T4G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 842

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 24V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5.8 mOhm @ 90A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NTR3162PT3G
ON Semiconductor

NTR3162PT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 623

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.2A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 1.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ