Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪ
DTC114YM3T5G
ON Semiconductor

DTC114YM3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149165

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2130T1
ON Semiconductor

MUN2130T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1886

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor

DTA144WM3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145545

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2133LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176066

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY3013R
ON Semiconductor

FJY3013R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1891

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 56 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2215T1G
ON Semiconductor

MUN2215T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 137107

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY3014R
ON Semiconductor

FJY3014R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3270

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2132T1
ON Semiconductor

MUN2132T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1898

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC115EET1G
ON Semiconductor

DTC115EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 184884

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY4007R
ON Semiconductor

FJY4007R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1870

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJX4011RTF
ON Semiconductor

FJX4011RTF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1899

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA144EET1G
ON Semiconductor

DTA144EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193208

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC143EET1G
ON Semiconductor

DTC143EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145510

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186770

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA143ZET1
ON Semiconductor

DTA143ZET1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1895

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2111LT1G
ON Semiconductor

MMUN2111LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178380

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMMUN2114LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2114LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 131501

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA115EET1G
ON Semiconductor

DTA115EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176363

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2111T3
ON Semiconductor

MUN2111T3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1925

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJX4005RTF
ON Semiconductor

FJX4005RTF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1869

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY4013R
ON Semiconductor

FJY4013R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3199

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY4005R
ON Semiconductor

FJY4005R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1926

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5234T1G
ON Semiconductor

MUN5234T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103534

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor

MMUN2232LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111952

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2211LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 199142

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY4003R
ON Semiconductor

FJY4003R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1884

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 56 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY3012R
ON Semiconductor

FJY3012R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1842

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5132T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147425

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC124EET1G
ON Semiconductor

DTC124EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143586

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC123EET1G
ON Semiconductor

DTC123EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138870

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJY3006R
ON Semiconductor

FJY3006R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1849

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2211T3G
ON Semiconductor

MUN2211T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169238

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor

DTA114TXV3T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1938

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA123JET1
ON Semiconductor

DTA123JET1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1884

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2230LT1
ON Semiconductor

MMUN2230LT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1914

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5212T1G
ON Semiconductor

MUN5212T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121602

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ