Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪ
MMUN2114LT1
ON Semiconductor

MMUN2114LT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2199

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN2137T1
ON Semiconductor

MUN2137T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2265

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4209RBU
ON Semiconductor

FJNS4209RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2302

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4209RTA
ON Semiconductor

FJNS4209RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2332

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA113EET1G
ON Semiconductor

DTA113EET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118141

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC144WET1
ON Semiconductor

DTC144WET1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2213

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4206RTA
ON Semiconductor

FJNS4206RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2270

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJV4111RMTF
ON Semiconductor

FJV4111RMTF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2311

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4203RTA
ON Semiconductor

FJNS4203RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2368

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 56 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA123JF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123JF3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132842

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA144TM3T5G
ON Semiconductor

DTA144TM3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151038

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA123EF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 194582

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA114YET1
ON Semiconductor

DTA114YET1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2214

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN4308RBU
ON Semiconductor

FJN4308RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2246

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 56 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMUN5131T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5131T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176865

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN3304RTA
ON Semiconductor

FJN3304RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2280

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4211RTA
ON Semiconductor

FJNS4211RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2283

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS4210RBU
ON Semiconductor

FJNS4210RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2290

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA124XF3T5G
ON Semiconductor

NSBA124XF3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157846

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS3213RTA
ON Semiconductor

FJNS3213RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2240

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5214T1
ON Semiconductor

MUN5214T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2199

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN3307RBU
ON Semiconductor

FJN3307RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2295

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5236T1
ON Semiconductor

MUN5236T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2233

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN4307RTA
ON Semiconductor

FJN4307RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2267

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2241LT1G
ON Semiconductor

MMUN2241LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3231

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN4310RTA
ON Semiconductor

FJN4310RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2217

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2213LT1
ON Semiconductor

MMUN2213LT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2255

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC144WF3T5G
ON Semiconductor

NSBC144WF3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153684

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5113T3G
ON Semiconductor

MUN5113T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163881

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTA144TET1G
ON Semiconductor

DTA144TET1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 171551

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS3215RBU
ON Semiconductor

FJNS3215RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2305

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 33 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMUN2241LT1
ON Semiconductor

MMUN2241LT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2243

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJN3306RBU
ON Semiconductor

FJN3306RBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5384

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 68 @ 5mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FJNS3212RTA
ON Semiconductor

FJNS3212RTA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2277

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DTC144WM3T5G
ON Semiconductor

DTC144WM3T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 174511

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN2212T1G
ON Semiconductor

SMUN2212T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154675

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN - Pre-Biased, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ