ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು

PN4093

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3348

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 8mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 1nA,

TF252-5-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3447

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 210µA @ 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 1mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 100mV @ 1µA,

MMBFJ176

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160984

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 2mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 10nA,

MMBFJ177_G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3457

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 1.5mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 800mV @ 10nA,

PN4092_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3460

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 15mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,

MMBF4391LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178139

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 50mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 4V @ 10nA,

PN4393_D27Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3449

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 5mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1nA,

PN5434_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3400

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 30mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 3nA,

PN4392_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3373

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 25mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,

J270_D27Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3420

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 2mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1nA,

FJN598JABU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3337

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 100µA @ 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 1mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 600mV @ 1µA,

MMBF4118

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169657

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 80µA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 1nA,

MMBFJ113

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188616

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 2mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1µA,

J112_D11Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3414

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 5mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 1µA,

J113_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3396

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 2mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1µA,

TF410-TL-HX

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3480

J108

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3387

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 80mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 3V @ 10nA,

J109_D27Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3351

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 40mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 10nA,

TF208TH-5-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3437

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 210µA @ 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 1mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 100mV @ 1µA,

J109_D74Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3425

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 40mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 10nA,

KSK30YBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3374

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 1.2mA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 400mV @ 100nA,

PN4092

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3390

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 15mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,

PN5434_D27Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3367

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 30mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 1V @ 3nA,

FJX597JHTF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3471

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 150µA @ 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 1mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 600mV @ 1µA,

MMBFJ202

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121765

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 900µA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 800mV @ 10nA,

KSK30OBU

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3382

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 600µA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 400mV @ 100nA,

TF410-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3454

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 50µA @ 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 1mA,

MMBF5459

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196282

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 4mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 10nA,

U1898_D27Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3382

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 15mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,

MMBFJ201

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160229

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 200µA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 300mV @ 10nA,

MMBFJ177LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116535

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 1.5mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 800mV @ 10nA,

MMBF4392

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111115

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 25mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,

TIS75_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3440

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 8mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 800mV @ 4nA,

J270_D26Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3434

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 2mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1nA,

TF408-3-TL-H

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3425

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 1.2mA @ 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) - ಗರಿಷ್ಠ: 10mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 180mV @ 1µA,

MMBF5460LT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3415

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 1mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 750mV @ 1µA,