ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

1N958B_T50R

1N958B_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5053

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 75µA @ 5.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N957B_T50R

1N957B_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5106

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 150µA @ 5.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N957B_T50A

1N957B_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5057

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 150µA @ 5.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N759A_T50R

1N759A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5091

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N759A_T50A

1N759A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5071

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N759A_S00Z

1N759A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5027

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N758A_T50A

1N758A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5027

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N758A_T50R

1N758A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5072

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N757A_T50R

1N757A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5031

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N758A_S00Z

1N758A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3588

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N757A_S00Z

1N757A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3539

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N757A_T50A

1N757A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5064

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N756A_T50R

1N756A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5042

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N756A_T50A

1N756A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5103

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N756A_S00Z

1N756A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5048

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N755A_T50A

1N755A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5104

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 6 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N755A_S00Z

1N755A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5099

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 6 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N754A_T50R

1N754A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5030

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N753A_T50R

1N753A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5106

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N754A_T50A

1N754A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5079

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N752A_T50R

1N752A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5095

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 11 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N753A_T50A

1N753A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5074

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N752A_S00Z

1N752A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3519

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 11 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N751A_S00Z

1N751A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5104

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N751A_T50R

1N751A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5094

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N750A_S00Z

1N750A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5020

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 19 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N750A_T50R

1N750A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5045

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 19 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N749A_T50R

1N749A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5059

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N749A_S00Z

1N749A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5036

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N748A_T50R

1N748A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5065

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 23 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N748A_S00Z

1N748A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5016

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 23 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N747A_T50R

1N747A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5025

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 24 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N747A_T50A

1N747A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5069

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 24 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N747A_S00Z

1N747A_S00Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5026

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 24 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N746A_T50R

1N746A_T50R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5066

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 28 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N746A_T50A

1N746A_T50A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5053

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 28 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ