ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.1%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 130 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 27.3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 1.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 7.5µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 11.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 13 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 9.9V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 11 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 75µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±7%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 20µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 7.6V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 11.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 6.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 23 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 11 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 800nA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 41 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 21V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 12.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 70 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 27V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.4V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 10.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 56V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 150 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 43V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 9.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 28V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 225mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 44 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 21V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 255 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 52.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,