ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

2SK3480-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 27738

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 50A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 31 mOhm @ 25A, 10V,

2SK1317-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12240

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.5A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 15V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 Ohm @ 2A, 15V,

2SJ649-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 38398

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 48 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3482-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39454

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 33 mOhm @ 18A, 10V,

2SK3484-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 57231

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 16A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 125 mOhm @ 8A, 10V,

2SK1835-E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8930

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 15V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7 Ohm @ 2A, 15V,

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2431

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2436

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2376

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2410

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2381

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2411

2SK3813-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2410

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2432

2SK3755-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2464

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2426

2SK3483(0)-Z-E1-AY

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2373

2SK3430(02)-S6-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2429

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2448

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2405

2SK3377-Z-E2-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2421

2SK3377-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2392

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2444

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2402

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2401

2SK3353-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2397

2SJ648-T1-A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2396

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6328

2SJ600-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5671

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2425

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2448

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2428

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2398

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2439

2SK3431-Z-E1-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1978

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 83A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3431-AZ

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1997

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 83A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,