ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು

ಮನೆ
ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು

Rohm Semiconductor

STZ5.6NT146

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136268

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 2.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ8.2NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178790

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EMZ6.8NTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156163

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ16KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9962

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.04%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ6.8ENTR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169671

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ22KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9973

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22.01V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.11%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 17V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ6.8NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139953

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

FTZ5.6ET148

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126312

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 2.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

VMZT6.8NT2L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106081

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ33KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9906

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 32.97V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.49%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 25V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ18NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114532

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 13V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ27NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156921

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 21V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

STZ6.2NFHT146

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9982

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±4.83%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ30KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1181

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 29.94V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.51%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 23V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ16NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139122

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ36NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147315

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ4.7KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1223

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.65V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.15%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EMZT6.8ET2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111110

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

STZ6.8TT146

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136247

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ5.1KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1239

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.09V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.16%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EMZ6.8ET2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144386

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ12NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151275

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±8%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ18KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9947

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 17.96V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 13V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

FTZ6.8ET148

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143060

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

STZ6.2NT146

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170124

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

FTZ4.3ET148

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188283

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ8.2TT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 113620

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ5.1NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123471

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

FTZ30ET148

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165861

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 30V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 23V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

VMZ6.8NT2L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150898

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

VMNZ6.8CST2RA

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123025

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 100mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

STZ6.8NT146

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152562

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ12KTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 133002

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ6.8KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3143

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.79V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.06%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UMZ5.6KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1201

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.61V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.14%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 2.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

35