ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು

ಮನೆ
ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.02V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630PTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 135

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 164

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 135

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 82

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 840mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MBRF30L120CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 30A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 30A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1020 MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MBRF20200CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20200CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.05V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MBRS25100CTHMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25100CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 25A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2007GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1605PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10150CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 84

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 79

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1630HMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 84

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1602 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 8A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2040 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1006HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 5A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1040 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MBRS15150CTHMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 15A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 7.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1620CTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1607PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 81

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

MBRS15150CT MNG

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CT MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 134

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 15A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 7.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4060PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 90V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 25A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 750mV @ 12.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 168

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1690HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 90V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1045CT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 84

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 800mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035PTHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 30A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 820mV @ 30A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.05V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1605G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 75

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1035CTHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 800mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR60100PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 60A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 980mV @ 60A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690PT C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 90V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1603G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

751

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»