ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

1N4754A R0G

1N4754A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 77

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 29.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1M180ZHR0G

1M180ZHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 180V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 136.8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4764A R0G

1N4764A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 91

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 100V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 350 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 76V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4741AHR0G

1N4741AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 59

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 15.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4760AHR0G

1N4760AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 150 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 51.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4760A R0G

1N4760A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 150 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 51.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4744AHR0G

1N4744AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 74

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 14 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 11.4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1M110ZHR0G

1M110ZHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 110V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 83.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4740A R0G

1N4740A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 133

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 7.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4746A R0G

1N4746A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 13.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4748AHR0G

1N4748AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 94

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 23 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 16.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4749A R0G

1N4749A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 18.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4764AHR0G

1N4764AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 100V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 350 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 76V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4750A R0G

1N4750A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 35 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 20.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4743A R0G

1N4743A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 83

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 70 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 32.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4758A R0G

1N4758A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 56V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 110 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 42.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4744A R0G

1N4744A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 14 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 11.4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4758AHR0G

1N4758AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 88

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 56V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 110 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 42.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4747A R0G

1N4747A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 61

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 70 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 15.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4763AHR0G

1N4763AHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 60

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 69.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4741A R0G

1N4741A R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 58

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 16 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 12.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4742G R1G

1N4742G R1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 112

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 27.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4742G A0G

1N4742G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 27.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1M180ZHR1G

1M180ZHR1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 180V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 136.8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4740G R1G

1N4740G R1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 109

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 9.9V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4740G B0G

1N4740G B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 78

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 9 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 9.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4742G B0G

1N4742G B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 127

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 27.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1N4740G A0G

1N4740G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 9 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 9.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5351 R7G

1PGSMC5351 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 10.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5357 R7G

1PGSMC5357 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 15.2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5354 R7G

1PGSMC5354 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 17V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 12.9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5355 R7G

1PGSMC5355 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 13.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5366 R7G

1PGSMC5366 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 14 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 29.7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5354HR7G

1PGSMC5354HR7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 112

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 17V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 12.9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5360 R7G

1PGSMC5360 R7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 25V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 19V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
1PGSMC5360HR7G

1PGSMC5360HR7G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 25V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 19V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ