ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

2M12Z A0G

2M12Z A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 200

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 2W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 9.1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2M200Z A0G

2M200Z A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 171

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 200V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 2W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 900 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 152V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C180P R3G

BZD27C180P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 183

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 179.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 130V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C130P R3G

BZD27C130P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 181

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 132.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.41%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 300 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 100V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C91PHM2G

BZD27C91PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 90.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.07%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C20P MQG

BZD27C20P MQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 92

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C43P R3G

BZD27C43P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 135

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.97%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 33V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C91P MHG

BZD27C91P MHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 94

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 90.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.07%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C62PHR3G

BZD27C62PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 62V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 47V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C120PHR3G

BZD27C120PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 167

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 120.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.39%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 300 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 91V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C15P RUG

BZD17C15P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 11V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C15PHM2G

BZD27C15PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 11V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C82P RUG

BZD27C82P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.09%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C13PHMTG

BZD27C13PHMTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13.25V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.41%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C180P RVG

BZD27C180P RVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 95

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 179.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 130V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C68PHR3G

BZD27C68PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 51V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C62P R3G

BZD17C62P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 62V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 47V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C16P R3G

BZD27C16P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 12V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C18P R3G

BZD27C18P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 17.95V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 13V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C160P MHG

BZD27C160P MHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 162V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 350 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 120V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C75P R3G

BZD27C75P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 74.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.04%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C200PHR3G

BZD27C200PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 113

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 200V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 750 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 150V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C33P RVG

BZD27C33P RVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 24V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C91PHRFG

BZD27C91PHRFG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 90.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.07%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C91PHMQG

BZD27C91PHMQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 95

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 90.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.07%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C160P RUG

BZD27C160P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 162V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 350 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 120V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C120PHM2G

BZD27C120PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 120.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.39%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 300 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 91V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C56P RUG

BZD27C56P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 93

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 56V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±7.14%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 43V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C20PHM2G

BZD27C20PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 101

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C30PHR3G

BZD27C30PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 182

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 30V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.66%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 22V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C39P R3G

BZD17C39P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 171

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 30V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C24PHR3G

BZD27C24PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.78%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 18V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C33PHRVG

BZD27C33PHRVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 185

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.06%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 24V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C51PHRVG

BZD27C51PHRVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 127

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 39V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C43P R3G

BZD17C43P R3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.97%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 33V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C16PHR3G

BZD27C16PHR3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 12V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ