ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

BZD27C22PHMTG

BZD27C22PHMTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 220

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22.05V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.66%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 16V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C43P MTG

BZD17C43P MTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.97%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 33V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C11P RTG

BZD17C11P RTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 4µA @ 8.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C150PHMHG

BZD27C150PHMHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 223

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 147V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 300 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 110V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C180P RUG

BZD27C180P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 179.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 130V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C11PHMTG

BZD27C11PHMTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 4µA @ 8.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C62P RHG

BZD27C62P RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 221

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 62V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 47V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C27P MHG

BZD27C27P MHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 204

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±7.03%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C82PHMHG

BZD27C82PHMHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 204

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.09%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C68P RFG

BZD27C68P RFG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 182

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 51V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C180PHMQG

BZD27C180PHMQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 179.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 130V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C33P MTG

BZD17C33P MTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 227

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.06%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 24V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C10PHMQG

BZD27C10PHMQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 7µA @ 7.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C75P MTG

BZD17C75P MTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C36P RHG

BZD17C36P RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 27V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C39P MQG

BZD17C39P MQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 30V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C51P M2G

BZD27C51P M2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 39V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C15P RHG

BZD17C15P RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 11V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C10PHRHG

BZD27C10PHRHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 208

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 4 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 7µA @ 7.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C36PHRHG

BZD27C36PHRHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 234

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 27V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C39P MTG

BZD17C39P MTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 201

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 30V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C47PHMTG

BZD27C47PHMTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 47V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.38%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 36V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C11P MTG

BZD27C11P MTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 4µA @ 8.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C13P RUG

BZD17C13P RUG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.53%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 10V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C16PHMTG

BZD27C16PHMTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 155

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.55%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 12V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C39P RTG

BZD17C39P RTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 30V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C51PHM2G

BZD27C51PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 39V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C150PHRTG

BZD27C150PHRTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 147V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.12%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 300 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 110V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C24PHRFG

BZD27C24PHRFG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.78%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 18V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C220P RFG

BZD17C220P RFG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 216

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 220V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.68%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 900 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 160V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C68PHMQG

BZD27C68PHMQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 135

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.88%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 51V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C43PHM2G

BZD27C43PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.97%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 33V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C43P RFG

BZD27C43P RFG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.97%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 33V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD27C180PHM2G

BZD27C180PHM2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 225

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 179.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.4%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 130V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C11P RVG

BZD17C11P RVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5.45%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 4µA @ 8.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZD17C47P MQG

BZD17C47P MQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 219

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 47V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.38%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 800mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 36V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ