ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

MMSZ5240B RHG

MMSZ5240B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ10SD R0G

MTZJ10SD R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 238

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10.21V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS20B RRG

UDZS20B RRG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 218

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 45nA @ 15V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS33B RRG

UDZS33B RRG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 45nA @ 25V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ24SA R0G

MTZJ24SA R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 242

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22.62V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 35 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 19V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5228B RHG

MMSZ5228B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 192

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 23 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ36SC R0G

MTZJ36SC R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 164

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 34.27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 75 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 27V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ20SC R0G

MTZJ20SC R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 19.73V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 15V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ZM4752A L0G

ZM4752A L0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 247

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 25.1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5229B RHG

MMSZ5229B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ZM4728A L0G

ZM4728A L0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 217

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ6V8SA R0G

MTZJ6V8SA R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 207

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.46V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5242B RHG

MMSZ5242B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 212

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 9.1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ30SC R0G

MTZJ30SC R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 186

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 29.09V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 23V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ39SG R0G

MTZJ39SG R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39.87V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 85 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 30V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS10B R9G

UDZS10B R9G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 234

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 180nA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5239B RHG

MMSZ5239B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 253

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS9V1B RRG

UDZS9V1B RRG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 194

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 450nA @ 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ39SC R0G

MTZJ39SC R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 253

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36.93V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 85 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 30V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5221B RHG

MMSZ5221B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 253

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.4V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TSZL52C27 RWG

TSZL52C27 RWG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 204

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5260B RHG

MMSZ5260B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 259

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 43V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 93 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 33V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ24SD R0G

MTZJ24SD R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24.24V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 35 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 19V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ5V1SC R0G

MTZJ5V1SC R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.23V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMSZ5230B RHG

MMSZ5230B RHG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 19 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ12SB R0G

MTZJ12SB R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 249

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11.74V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ18SA R0G

MTZJ18SA R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16.64V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 13V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ30SA R0G

MTZJ30SA R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 190

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27.69V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 23V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TSZL52C6V8 RWG

TSZL52C6V8 RWG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 146

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TSZL52C22 RWG

TSZL52C22 RWG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 17V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS18B RRG

UDZS18B RRG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 231

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 45nA @ 13V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ2V4SB R0G

MTZJ2V4SB R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.53V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 120µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ZM4736A L0G

ZM4736A L0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TSZL52C7V5 RWG

TSZL52C7V5 RWG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UDZS11B RRG

UDZS11B RRG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 242

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 90nA @ 8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MTZJ56S R0G

MTZJ56S R0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 204

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 56.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 110 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 43V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ