Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ
SFS1003GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1003GHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 68

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF804G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 74

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1607GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF7100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 7.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 920mV @ 7.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1005G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 66

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFS1007G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1007G MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 78

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16150HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2007G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 87

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF750 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 7.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 750mV @ 7.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UGF8JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JD C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.3V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RS1MFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1MFS MXG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 77

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 500ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ES15GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15GLW RVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1008GHMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 125

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2007G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 68

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF501GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF501GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 980mV @ 2.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF505G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF505G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 2.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RS1JFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JFS MXG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 250ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.05V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100 MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1040 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 86

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF1035HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MURF8L60 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF8L60 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 65ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF807G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2002G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 77

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 90V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF1003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1003GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 90

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2006GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 84

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS1H15LW RVG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1650HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 750mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF5100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5100 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 900mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF1006GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1006GAHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2001G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 85

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRF1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1660 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 750mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UGF12JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JD C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 3.1V @ 12A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 45ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UGA8120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA8120HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 70ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ