Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ
F1T3G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T3G A1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 168

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRA1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1630HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF48G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF48G B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 4A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
F1T4GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4GHR0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRAS2060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2060HMNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 175

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR010HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 500mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF65GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF65GHB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 6A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF46G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF46G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 137

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 4A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1007G C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF11G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF11G R1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SK20H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK20H45 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UF1D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1D B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRA1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1620 C0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF11GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF11GHR1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 79

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRT15 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT15 A1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
F1T2GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T2GHA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FR151GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR151GHA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
F1T5G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T5G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 250ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUR160AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHR1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
HER206G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER206G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 2A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 75ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF801GHC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 167

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR502HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR502HB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
HT14G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SRA1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1660HC0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 16A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
F1T2G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T2G A1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR110 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR110 B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 86

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 850mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
P2500M A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

P2500M A0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 25A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 870mV @ 5A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SR003HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR003HA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 109

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 500mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF63GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF63GHB0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 92

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 975mV @ 6A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FR307G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR307G B0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 500ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF17GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF17GHR1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 88

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MBRS1060 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060 MNG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF12GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF12GHR1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
ES15DLW RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15DLW RQG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 100

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 1.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF13G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF13G R1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 950mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SF68GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHA0G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 6A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ