ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು: Open Collector, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 4.5V ~ 5.5V,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NOR Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 3, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 3, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NOR Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 1, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 1, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 0.8V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 500nA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: AND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು: Open Drain, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 4µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: OR Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು: Open Drain, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NOR Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 4µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 4.5V ~ 5.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು: Schmitt Trigger, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 5.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 20µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 6, ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು: Schmitt Trigger, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 5.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 20µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: Inverter, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 1, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 1, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 0.8V ~ 2.7V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 3V ~ 18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: AND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 2V ~ 6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: XOR (Exclusive OR), ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 1.65V ~ 3.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA,
ತರ್ಕ ಪ್ರಕಾರ: NAND Gate, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 4, ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: 2, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ: 4.5V ~ 5.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕ್ವಿಸೆಂಟ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA,
