ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

PXAC210552ND-V1-R5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 6.5dB, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1µA,

PTFB092707FH-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 94

PTFC262808FV-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136

PTFB090901EA-V2-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107

PTVA030121EA-V1-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 333

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 390MHz ~ 450MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

PTFB182557SH-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 98

PXAC261212FC-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB211503FL-V2-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTAC260302FC-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 80

PTFA220041M-V4-R1K

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5986

PTFB212503EL-V1-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6239

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

CRF24060FE

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6155

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide MESFET, ಆವರ್ತನ: 1.1GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 9A,

PTFA220041M-V4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6006

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 940MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB211501E-V1-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6270

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

CRF24010FE

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6138

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide MESFET, ಆವರ್ತನ: 1.95GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1.8A, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 3.1dB,

PTFA220081M-V4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6240

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 940MHz, ಗಳಿಕೆ: 20.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PXAC261002FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6241

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,

PTFB183404E-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6074

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PXAC261212FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6212

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB211503EL-V1-R0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6237

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PXAC201202FC-V2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6203

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.2GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

CRF24010PE

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6161

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide MESFET, ಆವರ್ತನ: 1.95GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1.8A, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 3.1dB,

PTFB212503EL-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6274

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

CGHV27100F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 635

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 2.5GHz ~ 2.7GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 6A,

PXAC241702FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6289

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTVA120251EA-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6269

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 500MHz ~ 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

PXAC243502FV-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6282

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB211501E-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6202

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFC260202FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6213

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 20dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PXAC260602FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6272

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFB211503EL-V1-R250

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6263

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

PTFC261402FC-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6229

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTFA220121M-V4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6177

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

PTVA120251EA-V1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6245

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 500MHz ~ 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,