ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

C3D10065I

C3D10065I

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13617

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 19A (DC), ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D08060G

C3D08060G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 19066

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 24A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 8A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D08060A

C3D08060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 19023

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 24A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 8A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C4D10120A

C4D10120A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6587

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 33A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C4D20120A

C4D20120A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3285

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 54.5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 20A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD10060G

CSD10060G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1175

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C4D02120E-TR

C4D02120E-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 51886

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD08060A

CSD08060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 754

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 8A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C5D50065D

C5D50065D

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2894

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 100A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 50A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D06065I

C3D06065I

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22829

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 13A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD06060A

CSD06060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 519

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D08065E

C3D08065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 17754

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 25.5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 8A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD02060A

CSD02060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 507

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D03060F

C3D03060F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50210

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 3A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD02060G

CSD02060G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 550

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD04060E

CSD04060E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 504

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 7A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 4A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C4D05120A

C4D05120A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13070

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 19A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 5A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D02060F

C3D02060F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76324

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 4A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD10060A

CSD10060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 460

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 16.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD06060G

CSD06060G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 526

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D06065E

C3D06065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 23677

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C2D10120A

C2D10120A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4593

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 31A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD04060A

CSD04060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 499

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 7A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 4A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD10030A

CSD10030A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 455

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C4D08120E

C4D08120E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8705

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 24.5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 3V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D04065E

C3D04065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 35976

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 13.5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 4A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D04060A

C3D04060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37836

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 13.5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 4A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D10060A

C3D10060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 15214

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 30A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D02065E

C3D02065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 72572

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D03065E

C3D03065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47573

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 11A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 3A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D02060A

C3D02060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76361

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D10065E

C3D10065E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14218

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 32A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D06060G

C3D06060G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 25347

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 19A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
C3D02060E

C3D02060E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76335

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CSD01060A

CSD01060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 71797

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 4A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 1A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CPW2-1200-S010B

CPW2-1200-S010B

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9532

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 31A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.8V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ