ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Manganese Zinc Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 68µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 11.2A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 10.7A,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Manganese Zinc Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 33µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 13A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 16.3A,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 22µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 220mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 250mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 47mH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 70mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 70mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 150mH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 40mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 100mH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 50mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 50mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 56nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 150mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 68nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 150mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 39nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 200mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 47nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 200mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 27nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 250mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 33nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 250mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 15nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 18nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 22nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 250mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 10nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 12nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 8.2nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 5.6nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 4.7nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 3.9nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 2.7nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 1.8nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 2.2nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 300mA,
ಮಾದರಿ: Thin Film, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 1nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±0.1nH, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 800mA,
ಮಾದರಿ: Multilayer, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 10µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 350mA,
ಮಾದರಿ: Multilayer, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 4.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 750mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 850mA,
ಮಾದರಿ: Multilayer, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 6.8µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 700mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 600mA,
ಮಾದರಿ: Multilayer, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 2.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 850mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 1.1A,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 27µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 4.3A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 3.1A,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 2.5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 8.4A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 10.5A,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 47µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 250mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 200mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 22µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 410mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 300mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 33µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 325mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 260mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 22µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 350mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 270mA,
ಮಾದರಿ: Wirewound, ವಸ್ತು - ಕೋರ್: Ferrite, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್: 15µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 450mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಶುದ್ಧತ್ವ: 350mA,