ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.315" (8mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.472" (12mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.394" (10mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Phototransistor,
ಸಂವೇದನಾ ದೂರ: 0.197" (5mm), ಸಂವೇದನಾ ವಿಧಾನ: Reflective, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, Put ಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಕಾರ: Photodiode,
