| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Active |
|---|---|
| FET ಪ್ರಕಾರ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | Silicon Carbide (SiC) |
| ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 1200V (1.2kV) |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 250A (Tc) |
| ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 10 mOhm @ 200A, 20V |
| Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 490nC @ 20V |
| ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 9500pF @ 1000V |
| ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ | 1100W |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Chassis Mount |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | D-3 Module |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | D3 |
| ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
|---|---|
| ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
| ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
| ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |
