| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Obsolete |
|---|---|
| FET ಪ್ರಕಾರ | N-Channel |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 1200V |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 28A (Tj) |
| ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) | 20V |
| ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 4V @ 1mA |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | +25V, -5V |
| ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 928pF @ 800V |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | - |
| ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 202W (Tj) |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Surface Mount |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | Die |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | Die |
| ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
|---|---|
| ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
| ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
| ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |
